(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210998822.8 (22)申请日 2022.08.19 (71)申请人 芯和半导体科技 （上海） 有限公司 地址 201210 上海市浦东 新区纳贤路6 0弄5 号4层01室 (72)发明人 代文亮　凌峰　刘萍　蒋历国　 (74)专利代理 机构 上海乐泓专利代理事务所 (普通合伙) 31385 专利代理师 王瑞 (51)Int.Cl. G06F 30/367(2020.01) G06F 30/23(2020.01) G06F 17/16(2006.01) (54)发明名称 一种多导体传输线参数提取中考虑地平面 粗糙度的方法 (57)摘要 本发明公开一种多导体传输线参数提取中 考虑地平面粗糙度的方法， 属于电磁仿真领域。 针对现有多导体传输线二维参数提取难以考虑 地平面粗糙度且精度低的问题， 本发 明提供一种 多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的 方法， 它包括将地平面作为信号线， 求出频变电 阻矩阵； 将频变电阻矩阵进行对角化得到特征值 矩阵和特征向量矩阵， 记录地平面对应的特征 值， 将其分别乘以对应的表面粗糙度系数， 去除 地平面元素得到缩减后的矩阵， 将特征值矩阵中 的每个元素进行粗糙度计算后得到新的特征值 矩阵， 进行最终电阻矩阵的求取。 本发明在多导 线时运用特征值法进行折算地平 面的粗糙度， 更 准确计算出考虑地平面粗糙度的多导线电阻， 提 高电阻矩阵提取的准确度。 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 CN 115358180 A 2022.11.18 CN 115358180 A 1.一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法， 其特征在于： 包括以下步 骤： S1： 将地平面作为信号线， 按照信号线的数量计算原 始频变电阻矩阵[R]； S2： 原始频变电阻矩阵[R]进行对角化处理， 得到原始特征值矩阵[∧]和原始特征向量 矩阵[S]； S3： 记录地平面对应的特 征值， 将特 征值乘以对应的表面 粗糙度系数； S4： 原始频变电阻矩阵[R]进行去除地平面信号线值， 原始频变电阻矩阵[R]缩减为二 次频变电阻矩阵[R] ’ S5： 二次频变电阻矩阵[R] ’进行对角化处理， 得到二次特征值矩阵[∧] ’和二次特征向 量矩阵[S]’ S6： 对二次特征值矩阵[∧] ’中的每个元素进行提取， 对每个元素进行电阻求取后， 得 到三次特 征值矩阵[∧] ”； S7： 将三次特征值矩阵[∧] ”左右两边分别乘以[S] ’‑1和二次特征向量矩阵[S] ’， 得到 最终的电阻矩阵[R] ”， 所述[S]’‑1即为二次特征向量矩阵[ S]’的逆矩阵。 2.根据权利要求1所述的一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法， 其 特征在于： 所述 步骤S6中电阻求取 具体包括如下步骤： S61： 将单根信号线的电阻分为导体上表面电阻； 导体下表面电阻； 上地平面表面电阻； 下地平面表面电阻； S62： 建立导体上表面电阻、 导体下表面电阻、 上地平面表面电阻和下地平面表面电阻 连接关系的电路模型， 得到电阻关系式； S63： 在电路模型的基础上， 将导体上下表面和地平面上下表面的粗糙度系数分别加入 电阻关系中， 得到单根信号线的最终电阻。 3.根据权利要求2所述的一种多导体传输线参数提取中考虑地平面粗糙度的方法， 其 特征在于： 所述 步骤S62中， 电阻关系式为： 式中： Rh1为导体上半部分电阻； Rh2为导体下半部分电阻； Rt1为走线上表面电阻； ； Rt2为 走线下表面电阻； Rr1为位于走线上方的地平面的下表面电阻； Rr2为位于走线下方的地平面 的上表面电阻； 步骤S63中最终电阻的关系式为： 式中： Rh1,SR为导体上半部分考虑金属表面粗糙度的电阻； Rh2,SR为导体下半部分考虑金 属表面粗糙度的电阻； Kt1为走线上表面的粗糙度系数； Kr1为走线上方的地平面的下表面的 粗糙度系数； Kt2为走线下表面的粗糙度系数； Kr2为走线下方的地平面的上表面的粗糙度系权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115358180 A 2数。 4.一种计算机可读存储介质， 其特征在于： 所述计算机可读存储介质上存储有计算机 程序， 所述计算机程序被处理器执行时， 使 得所述处理器执行权利要求 1‑3中任一项权利要 求所述的多导体传输线参数提取中考虑地平面 粗糙度的方法。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115358180 A 3