UDC621.382:681.327.28 L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 14119—93 半导体集成电路双极熔丝式 可编程只读存储器 空白详细规范 Blank detail specification for semiconductor integrated circuit fusible-link programmable bipolar read-only memories （可供认证用） 1993-03-18发布 1993-08-01实施 国家技术监督局发布 中华人民共和国国家标准 半导体集成电路双极熔丝式可 编程只读存储器 GB/T14119-93 空白详细规范 Blank detail specification for semiconductor integrated circuit fusible-link programmable bipolar read-only memories （可供认证用） 本规范规定了编制半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器（以下简称器件)详细规范的基 本原则。 本规范是半导体集成电路一系列空白详细规范中的一个，它应与GB4589.1《半导体器件 分立器 件和集成电路总规范》和GB12750《半导体集成电路分规范（不包括混合电路）》一起使用。 要求的资料 空白详细规范首页[1]～[9]各栏应填写与下列各项相对应的内容。 详细规范的识别 [1]发布详细规范的国家标准化机构名称。 ［2］详细规范的IECQ编号 ［3］总规范和分规范编号及版本号。 [4］详细规范的国家编号，发布日期及国家标准体系需要的资料。 器件的识别 [5]］主要的功能和型号。 [6］典型结构(材料、主要工艺)和封装。 如果器件有多种派生产品，应当给出相互之间的差别。例如，以对照表的形式列出各自性能的特点。 详细规范应给出包括下述内容的简要说明： ·工艺(TTL、ECL等); ·结构(字×位)； ·输出电路的类型（例如 三态.; ·主要功能。 [7］外形图、引出端识别、标志和(或)外形有关的参考文件。 ［8］质量评定类别（按GB4589.1第2.6条）。 [9］参考数据。 [本规范中，方括号所列内容仅供指导编写详细规范使用，不必在详细规范中列出。 [本规范中，电特性或额定值表格中的“×”表示在详细规范中必须填写的值；“一”表示无内容可 写。 国家技术监督局1993-03-18批准 1993-08-01实施 1